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低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

低压化学气相沉积镀膜设备LPCVD

参数表
功能介绍

在低压氛围下，通过热分解的方式成膜。可制备氧化硅和多种晶硅薄膜，满足隧穿氧化钝化等特殊工序要求，可用于高效N型TOPCon和BC等电池。

参数配置
  • 平均开机率95%
  • 炉管内径 430 – 480mm
  • 单管载片量2400 – 2800 片/管, 双插
  • 硅片尺寸可兼容182 – 230各种硅片尺寸
  • 成膜均匀性片内与片间≤ 4%；批次间≤ 3%
  • 温度范围400 – 750 °C
技术特点
  • 成熟工艺，高良品率，匹配复制简单
  • 单双插的数据指标同样优秀
  • 独创四分热场，搭载ATS系统控温更精准
  • 多路进气设计，均匀性更佳
  • 石英管纳米镀层技术延长使用寿命
  • 石英管去金属化运行，提高稳定性
  • 全自动智能化控制系统
  • 加大泵管径，增加抽速和减少维护频次
  • 一键式温度自整功能，减少调试时间
镀膜效果

检测数据

热线电话：0510-85590779

邮箱 sales@laplace-tech.com

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